| 型号： | RMW200N03TB | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Rohm Semiconductor | 描述： | MOSF N CH 30V 20A PSOP8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| RMW200N03TB PDF |  |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1780pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | 8-PSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | RMW200N03TBTR |